Idag avslöjade Samsung Electronics att produktionen av dess 3-nanometer (nm) tillverkningsnod med hjälp av Gate-All-Around (GAA) transistorarkitektur har börjat.
Företaget sa att när de matchas till sin 5nm-process förbrukar deras 3nm-process 45 % mindre ström, ger förbättrad prestanda med 23 % och har en 16 % mindre yta. Samsungs 3nm processnod innehåller en gate-all-around (GAA) transistorarkitektur som packar större kanaler i grindar för elektricitet att flöda igenom samtidigt som spänningsnivån sänks jämfört med den föregående FinFET-transistorarkitekturen.
Som termen antyder, omsluter grindarna helt kanalerna i GAA, och det faktum att alla fyra sidorna av kanalerna används gör att en större mängd drivström kan passera genom grindarna jämfört med FinFET, som bara använder tre av sidorna av kanalerna.
Företaget pratade också om anpassningsförmågan hos designen av dess 3nm-processnod, vilket gjorde det möjligt för den att modifiera kanalbredden för att ge största möjliga tillfredsställelse för sina kunder. Samsung sa att de också arbetade på en andra generationens 3nm-processnod som skulle vara bättre när det gäller energianvändning, prestanda och ytarea.
Minneschipproduktion är Samsungs specialitet; företaget är världens näst största gjuteri och den största kontraktstillverkaren. Det kämpar verkligen med det största gjuteriet i branschen, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), att anta mer avancerade processnoder innan det gör det. TSMC gör sig redo att påbörja massproduktion med sin egen 3nm processnod. Enligt Samsung är de chips som för närvarande tillverkas med hjälp av dess första 3nm-processnod för en högpresterande datorapplikation med låg effekt.
För att hjälpa kunder att uppnå en högre nivå av produktperfektion på kortare tid började Samsung Electronics erbjuda en beprövad designinfrastruktur under tredje kvartalet 2021. Detta var möjligt eftersom Samsung Advanced Foundry Ecosystem (SAFE) partners som Ansys, Cadence, Siemens och Synopsys gjorde mycket arbete för att göra sig redo.
Företaget strävar efter att bredda nodens tillämpbarhet på mobila processorer i framtiden. Företaget avslöjade inte vilken kund det nu tillverkade 3nm-chips i masskvantiteter för. Den senaste 3nm-striden mellan de två företagen kommer att handla om vem som kan säkra fler beställningar från stora kunder, som Qualcomm, för mobila processorer som kommer att användas i flaggskeppsenheter under nästa år.
På tal om starten sa Dr. Siyoung Choi, VD och chef för gjuteriverksamheten på Samsung Electronics,
Samsung har vuxit snabbt när vi fortsätter att visa ledarskap när det gäller att tillämpa nästa generations teknologier för tillverkning, såsom gjuteriindustrins första High-K Metal Gate, FinFET, samt EUV. Vi strävar efter att fortsätta detta ledarskap med världens första 3nm-process med MBCFET. Vi kommer att fortsätta aktiv innovation inom konkurrenskraftig teknikutveckling och bygga processer som hjälper till att påskynda uppnåendet av mognad av teknologi.
